Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-XFBGA, CSPBGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.34W

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

S-PBGA-B4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

908pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.053Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

反馈上限-最大值 (Crss)

126 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant