Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-13
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DMN10H6D2LFDB-13
671-DMN10H6D2LFDB-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
1最小包装量--
DMN10H6D2LFDB-13详情
Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件包装
U-DFN2020-6 (Type B)
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
270mA (Ta)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
RoHS
Details
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
MOSFETs
功率 - 最大
700mW (Ta)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
41pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
Standard
产品类别
MOSFET
DMN10H6D2LFDB-13拓展信息
Diodes Incorporated
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