Diodes Incorporated DMN2075UDW-7
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DMN2075UDW-7
671-DMN2075UDW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DMN2075 Series 20 V 2.8 A SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
--最小包装量--
DMN2075UDW-7详情
Diodes Incorporated DMN2075UDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
40 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
28.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
48m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
594.3pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
上升时间
9.8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
6.7 ns
连续放电电流(ID)
2.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏极-源极导通最大电阻
0.048Ohm
漏源击穿电压
20V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN2075UDW-7拓展信息
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