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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.713985
10
¥0.673571
100
¥0.635444
500
¥0.599475
1000
¥0.565543
Diodes Incorporated DMN2300U-7
- 收藏
- 对比
DMN2300U-7
671-DMN2300U-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2300U-7详情
Diodes Incorporated DMN2300U-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.24A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
430mW Ta
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
175m Ω @ 300mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
64.3pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.6nC @ 4.5V
上升时间
2.8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
1.4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN2300U-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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