Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7B
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DMN2400UFB4-7B
671-DMN2400UFB4-7B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
DFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R
1最小包装量--
DMN2400UFB4-7B详情
Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
40 Weeks
包装/外壳
DFN
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
750mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75A
漏极-源极导通最大电阻
0.55Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.47W
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2400UFB4-7B拓展信息
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