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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.874252
10
¥2.71156
100
¥2.558071
500
¥2.413275
1000
¥2.27668
Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7
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- 对比
DMN2501UFB4-7
671-DMN2501UFB4-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2501UFB4-7详情
Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
40.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
接通延迟时间
6.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
82pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 10V
上升时间
6.4ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
17.3 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2501UFB4-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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