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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.756416
10
¥4.487183
100
¥4.233193
500
¥3.993576
1000
¥3.767525
Diodes Incorporated DMN3024SFG-7
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- 对比
DMN3024SFG-7
671-DMN3024SFG-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3024SFG-7详情
Diodes Incorporated DMN3024SFG-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
质量
72.007789mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
Turn Off Delay Time
14.6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
2.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
479pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
上升时间
7.9ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
3.1 ns
连续放电电流(ID)
7.5A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.023Ohm
漏源击穿电压
30V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3024SFG-7拓展信息
Diodes Incorporated
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