Diodes Incorporated DMN3029LFG-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.8V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

1W Ta

已出版

2012

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18.6m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

5.3A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant