Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-7
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DMN3032LFDBWQ-7
671-DMN3032LFDBWQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
--最小包装量--
DMN3032LFDBWQ-7详情
Diodes Incorporated DMN3032LFDBWQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件包装
U-DFN2020-6 (SWP) Type B
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A (Ta)
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
N通道
Continuous Drain Current Id
5.5A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
子类别
MOSFETs
技术
Si
功率 - 最大
820mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
30mOhm @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
产品类别
MOSFET
信道型
N通道
场效应管特性
Standard
产品类别
MOSFET
DMN3032LFDBWQ-7拓展信息
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