Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

280mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

39pF @ 3V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

400mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.4A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

宽度

1.35mm

长度

2.2mm

高度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant