注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.091914
10
¥2.916901
100
¥2.751789
500
¥2.596035
1000
¥2.449086
Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-7
- 收藏
- 对比
DMN53D0LDWQ-7
671-DMN53D0LDWQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN53D0LDWQ-7详情
Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
SOT-363
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
460mA (Ta)
Number of Elements per Chip
1
Package Type
SOT-363
Channel Mode
Enhancement
MSL
-
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
N通道
Continuous Drain Current Id
460mA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
子类别
MOSFETs
技术
Si
引脚数量
3
功率 - 最大
400mW (Ta)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
49.5pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
产品类别
MOSFET
信道型
N
场效应管特性
Standard
产品类别
MOSFET
DMN53D0LDWQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated






哦! 它是空的。