Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

HIGH RELIABILITY

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

250mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 50mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

50V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

符合RoHS标准