Diodes Incorporated DMN60H080DS-7

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100 Ω @ 60mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.7nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

70mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.07A

漏极-源极导通最大电阻

290Ohm

漏源击穿电压

600V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant