Diodes Incorporated DMN61D8LQ-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

470mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

390mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8 Ω @ 150mA, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12.9pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.74nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

470mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.47A

漏极-源极导通最大电阻

2.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant