注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.533957
10
¥8.994301
100
¥8.485185
500
¥8.004892
1000
¥7.551789
Diodes Incorporated DMNH4011SPS-13
- 收藏
- 对比
DMNH4011SPS-13
671-DMNH4011SPS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET NCH 40V 13A POWERDI
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMNH4011SPS-13详情
Diodes Incorporated DMNH4011SPS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
8-PowerTDFN
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta 100W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta 80A Tc
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1405pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13A
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
90A
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
170 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMNH4011SPS-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。