Diodes Incorporated DMNH6008SPSQ-13
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DMNH6008SPSQ-13
671-DMNH6008SPSQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
1最小包装量--
DMNH6008SPSQ-13详情
Diodes Incorporated DMNH6008SPSQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.5A Ta 88A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2597pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40.1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
88A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16.5A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
194 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMNH6008SPSQ-13拓展信息
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