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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.645879
10
¥5.326306
100
¥5.024811
500
¥4.74039
1000
¥4.472066
Diodes Incorporated DMNH6021SPD-13
- 收藏
- 对比
DMNH6021SPD-13
671-DMNH6021SPD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMNH6021SPD-13详情
Diodes Incorporated DMNH6021SPD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A 32A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.5W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1143pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20.1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
32A
漏极-源极导通最大电阻
0.025Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
64 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMNH6021SPD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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