Diodes Incorporated DMP2004TK-7
- 收藏
- 对比
DMP2004TK-7
671-DMP2004TK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-523
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
1最小包装量--
DMP2004TK-7详情
Diodes Incorporated DMP2004TK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-523
引脚数
3
质量
2.012816mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
430mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.1Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150mW
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1 Ω @ 430mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
175pF @ 16V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
430mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
DS 击穿电压-最小值
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
高度
750μm
长度
1.6mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP2004TK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。