Diodes Incorporated DMP2070UCB6-7

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFBGA, WLBGA

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

920mW Ta

Turn Off Delay Time

42.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7.3 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.9nC @ 4.5V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

漏源击穿电压

20V

高度

620μm

长度

1mm

宽度

1.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant