Diodes Incorporated DMP21D0UFB4-7B

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

770mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

430mW Ta

Turn Off Delay Time

31.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

990mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.1 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

495m Ω @ 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

80pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.54nC @ 8V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

18.5 ns

连续放电电流(ID)

1.17A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.86A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

-20V

高度

350μm

长度

1.05mm

宽度

650μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅