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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.15239
10
¥2.030555
100
¥1.915622
500
¥1.807187
1000
¥1.704897
Diodes Incorporated DMP3048LSD-13
- 收藏
- 对比
DMP3048LSD-13
671-DMP3048LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP3048LSD-13详情
Diodes Incorporated DMP3048LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.8A Ta
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1.7W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
48m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1438pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.048Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP3048LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
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