Diodes Incorporated DMP3056LDM-7
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DMP3056LDM-7
671-DMP3056LDM-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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P Channel 30 V 65 mO 1.5 W 10.1 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-26
--最小包装量--
DMP3056LDM-7详情
Diodes Incorporated DMP3056LDM-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta
Turn Off Delay Time
50.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
10.2 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
948pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.1nC @ 10V
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.3 ns
连续放电电流(ID)
4.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
漏源击穿电压
-30V
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP3056LDM-7拓展信息
Diodes Incorporated
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