Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13
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DMP4015SSSQ-13
671-DMP4015SSSQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
--最小包装量--
DMP4015SSSQ-13详情
Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.45W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 9.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4234pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
9.1A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.011Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100A
DS 击穿电压-最小值
40V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP4015SSSQ-13拓展信息
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