Diodes Incorporated DMP6050SFG-7

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.8A Ta

Power Dissipation (Max)

1.1W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1293pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

4.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant