Diodes Incorporated DMP6250SE-13

工厂交货时间

22 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 14W Tc

Turn Off Delay Time

91.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

DMP6250

JESD-30代码

R-PDSO-G4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.3 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

551pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 10V

上升时间

10.3ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

39.8 ns

连续放电电流(ID)

6.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

-60V

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

高度

1.65mm

长度

6.55mm

宽度

3.55mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant