Diodes Incorporated DMT5015LFDF-13

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

820mW Ta

Turn Off Delay Time

10.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

15mOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N6

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

902.7pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

5.1ns

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

2.7 ns

连续放电电流(ID)

9.1A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

DS 击穿电压-最小值

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant