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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.69228
10
¥5.370076
100
¥5.066104
500
¥4.779344
1000
¥4.508816
Diodes Incorporated DMTH3004LPSQ-13
- 收藏
- 对比
DMTH3004LPSQ-13
671-DMTH3004LPSQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMTH3004LPSQ-13详情
Diodes Incorporated DMTH3004LPSQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A Ta 145A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
136W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2370pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43.7nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
连续放电电流(ID)
145A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
22A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
110 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMTH3004LPSQ-13拓展信息
Diodes Incorporated
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