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1

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10

￥1.611146
100

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500

￥1.433912
1000

￥1.352747

Diodes Incorporated DN0150BDJ-7

Name: DN0150BDJ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 671-DN0150BDJ-7
Price: 1.71 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

DN0150BDJ-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-DN0150BDJ-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-963

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-963 T/R

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DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-963 T/R

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Diodes Incorporated DN0150BDJ-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-963
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

2
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
最大功率耗散

300mW
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
引脚数量

6
极性

NPN
元素配置

Dual
功率 - 最大

300mW
增益带宽积

60MHz
晶体管类型

2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA
转换频率

60MHz
最大击穿电压

50V
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

450μm
长度

1mm
宽度

800μm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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DN0150BDJ-7拓展信息

热销零件