Diodes Incorporated DRDN005W-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DRDN005

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN + Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅