Diodes Incorporated DSS9110Y-7
- 收藏
- 对比
DSS9110Y-7
671-DSS9110Y-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 100V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
1最小包装量--
DSS9110Y-7详情
Diodes Incorporated DSS9110Y-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100MHz
Power Dissipation (Max)
625mW
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-120mV
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
元素配置
Dual
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
320mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
320mV @ 100mA, 1A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
-120V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-1A
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DSS9110Y-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated









哦! 它是空的。