注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.321544
10
¥0.303343
100
¥0.286173
500
¥0.269975
1000
¥0.254694
Diodes Incorporated BC857BS-7-F
- 收藏
- 对比
BC857BS-7-F
671-BC857BS-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

DIODES INC. - BC857BS-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC857BS-7-F详情
Diodes Incorporated BC857BS-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-400mV
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
高度
1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC857BS-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。