Diodes Incorporated BC857BS-13-F

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

hFEMin

220

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC857BS

参考标准

AEC-Q101

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-100mA

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant