Diodes Incorporated DST857BDJ-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-963

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

300mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DST857BD

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

增益带宽积

340MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 100mA

转换频率

340MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-100mA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant