Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13

工厂交货时间

21 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13.5 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.7W

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

218.7pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.9nC @ 10V

上升时间

2.5ns

漏源电压 (Vdss)

55V

下降时间（典型值）

6.1 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

55V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant