Diodes Incorporated LBN150B01-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

质量

29.993795mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

2

hFEMin

105

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

LBN150B01

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 100mA 1V / 32 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅