Diodes Incorporated MMBT3906FZ-7B

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

250MHz

Power Dissipation (Max)

435mW

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

435mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

频率转换

280MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

连续集电极电流

-200mA

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant