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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MMBTH10-7
MMBTH10-7
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Diodes Incorporated MMBTH10-7

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型号

MMBTH10-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMBTH10-7

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

SOT-23

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW

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MMBTH10-7
MMBTH10-7 Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW

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MMBTH10-7详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated MMBTH10-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23

  • 引脚数

    3

  • 质量

    7.994566mg

  • Number of Elements

    1

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    25V

  • hFEMin

    60

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn85Pb15)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    235

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    50mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    650MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    25V

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 转换频率

    650MHz

  • 最大击穿电压

    25V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 连续集电极电流

    50mA

  • 最高频段

    超高频B型

  • 集电极-基极电容-最大值

    0.7pF

  • 长度

    3.05mm

  • 高度

    1mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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