Diodes Incorporated MMDT2222V-7

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

3.005049mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

2

hFEMin

35

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

600mA

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMDT2222V

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

150mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

600μm

长度

1.6mm

宽度

1.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅