Diodes Incorporated MMDT4124-7-F

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

2

hFEMin

120

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMDT4124

引脚数量

6

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

200mA

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅