Diodes Incorporated MMDT4126-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

2

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

MMDT4126

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

-25V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

连续集电极电流

-200mA

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅