Diodes Incorporated MMDT4146-7

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

2

hFEMin

120

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e0

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

200mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

最小直流增益（hFE）

60

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅