Diodes Incorporated VN10LFTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

150mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

150mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅