Diodes Incorporated ZDM4206NTA
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ZDM4206NTA
671-ZDM4206NTA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Gull Wing
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MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
1最小包装量--
ZDM4206NTA详情
Diodes Incorporated ZDM4206NTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
2.25W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZDM4206N
JESD-30代码
R-PDSO-G10
资历状况
不合格
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.75W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1 Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
100pF @ 25V
上升时间
12ns
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
1Ohm
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
ZDM4206NTA拓展信息
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