Diodes Incorporated ZDM4306NTC
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ZDM4306NTC
671-ZDM4306NTC
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Gull Wing
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MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
1最小包装量--
ZDM4306NTC详情
Diodes Incorporated ZDM4306NTC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Gull Wing
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
3W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
1.3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
ZDM4306N
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
330m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 25V
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.33Ohm
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
高度
1.6mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
ZDM4306NTC拓展信息
Diodes Incorporated
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