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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ZDT649TA
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Diodes Incorporated ZDT649TA

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  • 对比

型号

ZDT649TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZDT649TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-223-8

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT Dual 25V NPN

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ZDT649TA
ZDT649TA Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Dual 25V NPN

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ZDT649TA详情

技术参数

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Diodes Incorporated ZDT649TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-223-8

  • 引脚数

    8

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    25V

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    2.75W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    2A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    240MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    2A

  • 转换频率

    240MHz

  • 最大击穿电压

    25V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    35V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 最小直流增益（hFE）

    15

  • 连续集电极电流

    2A

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    3.7mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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技术文档: Diodes Incorporated ZDT649TA.

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AS
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