Diodes Incorporated ZDT6702TA

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Gull Wing

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2.75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZDT6702

引脚数量

8

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

140MHz

晶体管类型

NPN, PNP Darlington (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1.75A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5000 @ 500mA 5V / 2000 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.28V @ 2mA, 1.75A

最高频率

140MHz

转换频率

150MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

1.75A

高度

1.6mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅