Diodes Incorporated ZDT749TA

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Gull Wing

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-230mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

2.75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-6A

频率

160MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZDT749

引脚数量

8

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

2.75W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

160MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

160MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-2A

高度

1.6mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅