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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ZDT751TA
ZDT751TA
ZDT751TA

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Diodes Incorporated ZDT751TA

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  • 对比

型号

ZDT751TA

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-ZDT751TA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

8-SMD, Gull Wing

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 60V 2A 8-Pin SM8 T/R

起订量

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ZDT751TA
ZDT751TA Diodes Incorporated Trans GP BJT PNP 60V 2A 8-Pin SM8 T/R

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ZDT751TA详情

技术参数

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型号对比

Diodes Incorporated ZDT751TA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, Gull Wing

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -280mV

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    -60V

  • 最大功率耗散

    2.75W

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    -2A

  • 频率

    140MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    ZDT751

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    2.75W

  • 增益带宽积

    140MHz

  • 晶体管类型

    2 PNP (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    2A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    500mV @ 200mA, 2A

  • 转换频率

    140MHz

  • 最大击穿电压

    60V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 连续集电极电流

    -2A

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    3.7mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated ZDT751TA.

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