Diodes Incorporated ZHB6792TA

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Gull Wing

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

70V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

频率

150MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZHB6792

引脚数量

8

极性

NPN, PNP

功率耗散

2W

功率 - 最大

1.25W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 2A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

70V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

高度

1.6mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅