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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.202587
10
¥9.625081
100
¥9.080268
500
¥8.56629
1000
¥8.081403
Diodes Incorporated ZTX692BSTZ
- 收藏
- 对比
ZTX692BSTZ
671-ZTX692BSTZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
E-Line-3, Formed Leads
大陆
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TRANS NPN 70V 1A E-LINE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZTX692BSTZ详情
Diodes Incorporated ZTX692BSTZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
E-Line-3, Formed Leads
引脚数
3
供应商器件包装
E-Line (TO-92 compatible)
质量
453.59237mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
150MHz
Power Dissipation (Max)
1W
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
70V
额定电流
1A
频率
150MHz
基本部件号
ZTX692B
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1W
功率 - 最大
1W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
400 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 10mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
70V
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
70V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
1A
高度
4.01mm
长度
4.77mm
宽度
2.41mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZTX692BSTZ拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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